一、2026年春江苏开放大学电子器件基础作业3单选题 1、在MOS晶体管中,用于防止栅击穿的常见保护措施是() A、并联输入二极管 B、串联输入电阻 C、增加栅氧化层厚度 D、降低栅极电压 正确:A 2、实现金属-半导体欧姆接触的常用方法是: A、轻掺杂接触区 B、高掺杂接触区 C、使用高功函数金属 D、增加界面态密度 正确:B 3、影响MOS结构阈值电压的主要因素不包括: A、栅氧化层厚度 B、衬底掺杂浓度 C、金属-半导体功函数差 D、栅极材料颜色 正确:D 4、当P型Si衬底的MOS结构施加负栅压时,半导体表…
