一、2026年春江苏开放大学电子器件基础作业1单选题 1、1.Si单晶体的结构属于（）结构。 A、金刚石 B、闪锌矿 C、面心立方 D、体心立方 正确：A 2、下列材料中属于半导体的是： A、铜 B、硅 C、玻璃 D、橡胶 正确：B 3、在本征半导体中，电子浓度与空穴浓度之间的关系是： A、电子浓度>空穴浓度 B、电子浓度<空穴浓度 C、电子浓度=空穴浓度 D、两者无关 正确：C 4、N型半导体中多数载流子是： A、电子 B、空穴 C、离子 D、中子 正确：A 5、费米能级是描述的是： A、电子能量分布…
一、2026年春江苏开放大学电子器件基础作业2单选题 1、双极型晶体管（BJT）的三个区分别是（） A、源极、漏极、栅极 B、发射极、基极、集电极 C、阳极、阴极、控制极 D、正极、负极、中间极 正确：B 2、晶体管的基本结构中，发射区和基区之间的PN结称为： A、集电结 B、发射结 C、基结 D、输出结 正确：B 3、晶体管要实现电流放大，发射结和集电结的偏置状态应为： A、发射结反偏，集电结正偏 B、发射结正偏，集电结反偏 C、两结均正偏 D、两结均反偏 正确：B 4、晶体管在开关电路中通常工作在： A、放大区…
一、2026年春江苏开放大学电子器件基础作业3单选题 1、在MOS晶体管中，用于防止栅击穿的常见保护措施是（） A、并联输入二极管 B、串联输入电阻 C、增加栅氧化层厚度 D、降低栅极电压 正确：A 2、实现金属-半导体欧姆接触的常用方法是： A、轻掺杂接触区 B、高掺杂接触区 C、使用高功函数金属 D、增加界面态密度 正确：B 3、影响MOS结构阈值电压的主要因素不包括： A、栅氧化层厚度 B、衬底掺杂浓度 C、金属-半导体功函数差 D、栅极材料颜色 正确：D 4、当P型Si衬底的MOS结构施加负栅压时，半导体表…
