一、2026年春江苏开放大学电子器件基础作业2单选题
1、双极型晶体管（BJT）的三个区分别是（）
A、源极、漏极、栅极
B、发射极、基极、集电极
C、阳极、阴极、控制极
D、正极、负极、中间极
正确：B
2、晶体管的基本结构中，发射区和基区之间的PN结称为：
A、集电结
B、发射结
C、基结
D、输出结
正确：B
3、晶体管要实现电流放大，发射结和集电结的偏置状态应为：
A、发射结反偏，集电结正偏
B、发射结正偏，集电结反偏
C、两结均正偏
D、两结均反偏
正确：B
4、晶体管在开关电路中通常工作在：
A、放大区和截止区
B、饱和区和截止区
C、放大区和饱和区
D、所有区域均可
正确：B
5、在共发射极输出特性曲线中，当IB=0时，集电极电流为：
A、0
B、ICEO
C、ICBO
D、IEBO
正确：B
二、2026年春江苏开放大学电子器件基础作业2判断题
1、双极型晶体管的基区宽度Wb很大程度上就决定了这支晶体管性能的优劣。
A、正确
B、错误
正确：A
2、晶体管中发射区杂质浓度通常高于基区，以提高发射效率。
A、正确
B、错误
正确：A
3、共基极接法既能放大电流也能放大电压。
A、正确
B、错误
正确：B
4、基区宽度越宽，晶体管的频率特性越好。
A、正确
B、错误
正确：B
5、晶体管在开关状态下，导通时管压降很大。
A、正确
B、错误
正确：B
6、晶体管在饱和区仍具有线性放大作用。
A、正确
B、错误
正确：B
7、半导体器件的仿真实验可以帮助理解参数对性能的影响。
A、正确
B、错误
正确：A
8、掺金可提高少数载流子寿命，从而改善开关速度。
A、正确
B、错误
正确：A
9、在截止状态下，晶体管的集电极电流接近于零。
A、正确
B、错误
正确：A
10、共基极接法中，输入电流为Ie，输出电流为Ic。
A、正确
B、错误
正确：A
11、基区宽度越窄，晶体管的开关速度越快。
A、正确
B、错误
电子器件类内容不宜只背选项。PN结、BJT、MOS结构、偏置状态这几块彼此有关，复习时可以自己画一张小图，把电流方向、载流子类型和工作区对应起来。
如果题目涉及器件参数，先判断它考的是物理机制还是电路表现。比如扩散、漂移、击穿、电容效应这些词，表面相近，实际对应的工作条件并不一样。
这份资料篇幅不长，使用时可以自己补一页笔记：把题目涉及的关键词、容易出错的判断点和教材位置写在旁边。短资料最怕只看一遍就放过，真正有用的是把它变成自己的复习线索。
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